时间：2025/6/28 15:15:35
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FQP13N50C是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）生产。该器件适用于高频开关和功率转换应用，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率控制的场景。
这种MOSFET采用TO-220封装形式，便于散热和安装。其额定电压为500V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备较低的导通电阻，从而减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9.2A
导通电阻：1.8Ω
总功耗：140W
结温范围：-55℃至175℃
FQP13N50C具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，适合高压电路设计。
2. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能，适用于高频应用。
4. 增强的雪崩能力，提高在异常情况下的可靠性。
5. 小尺寸TO-220封装，便于安装和散热。
6. 宽温度范围操作，适应极端环境条件。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 电机驱动与控制
3. 逆变器电路
4. 脉宽调制（PWM）控制器
5. 工业自动化设备
6. 不间断电源（UPS）系统
FQP13N50C凭借其出色的电气特性和可靠性，成为许多功率转换和控制应用的理想选择。
IRFP460, STP17NF50, FQP13N50
