FQP11N80 时间：2025/8/24 9:38:00 阅读：15

FQP11N80是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的高电压N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高可靠性的电源应用，具有低导通电阻和高击穿电压特性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率管理电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：800V
　　连续漏极电流(Id)：11A（在25℃）
　　导通电阻(Rds(on))：0.55Ω（最大）
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2V～4V
　　功耗(Pd)：150W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装形式：TO-220

特性

FQP11N80具备优异的导通性能和快速开关特性，能够在高电压条件下提供稳定的电流控制。其最大漏源电压为800V，可承受较高的电压应力，适用于高压电源系统。该MOSFET的导通电阻较低，最大值为0.55Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，其150W的功耗能力支持在较高温度环境下稳定运行。
　　FQP11N80采用TO-220封装，便于安装和散热管理，适用于工业级应用。其栅极阈值电压范围为2V至4V，允许使用常见的驱动电路进行控制。该器件的封装结构也提供了良好的电气隔离和机械强度，确保在恶劣环境中的可靠性。
　　由于其优异的性能，FQP11N80能够在多种功率转换系统中实现高效、紧凑的设计。同时，其热稳定性和耐用性也使其在长期运行中表现出色，降低了系统故障率，提高了整体可靠性。

应用

FQP11N80广泛应用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、LED驱动器、DC-DC转换器、逆变器、电机控制电路以及工业自动化系统。在开关电源中，FQP11N80可用于主开关或同步整流器，以提高转换效率并减少发热。在电机控制和功率调节系统中，它可用于高频开关操作，实现精确的功率调节。此外，该器件也可用于电池充电器、UPS（不间断电源）系统和家用电器中的功率控制模块。