时间：2025/8/24 9:36:01
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FQP10N90C是一款N沟道增强型功率MOSFET，由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产。该器件专为高电压、高电流应用而设计，具有较低的导通电阻和优良的开关性能，适用于多种功率电子设备中。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏源电压（VDS）：900V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.75Ω
最大功耗（PD）：60W
工作温度范围：-55°C至+150°C
FQP10N90C具有多个显著的特性，使其适用于广泛的功率电子设计。首先，该器件的高漏源电压（900V）使其非常适合高电压应用，如电源转换器和电机控制器。其次，FQP10N90C的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET的封装设计支持良好的热管理，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。
另一个重要特性是其优异的开关性能。FQP10N90C的栅极电荷较低，这意味着在高频开关应用中，驱动损耗较小，从而提高了整体系统的效率。同时，该器件的栅源电压范围较宽（±30V），提供了更高的灵活性和抗过压能力，确保在不同工作条件下都能稳定运行。
可靠性方面，FQP10N90C具有良好的热稳定性，并且具备较高的抗短路能力。这种稳健性使其在工业和高要求环境中表现出色，例如在变频器、不间断电源（UPS）和照明控制系统中。
FQP10N90C广泛应用于多种功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、照明控制系统（如电子镇流器）、不间断电源（UPS）和变频器等。其高电压和电流处理能力使其成为需要高效能功率开关的首选之一。此外，该MOSFET也适用于家用电器、工业自动化设备以及新能源系统中的功率管理模块。
IRF840, FQA10N90C, FQP12N90C
