时间：2025/9/3 22:36:06
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FQP10N60CF 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），其设计适用于高电压、中等功率的开关应用。该器件具有较高的电压和电流承受能力，广泛用于电源转换器、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制以及照明系统等领域。FQP10N60CF 采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能，适用于需要高效、高可靠性的电子系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：10A（25°C）
导通电阻（Rds(on)）：0.55Ω @ Vgs = 10V
最大栅极电压（Vgs）：±30V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Pd）：94W
漏极-源极击穿电压：600V
FQP10N60CF 是一款高性能功率MOSFET，具备良好的导通和开关特性，适用于多种电源管理应用。其主要特性包括高耐压能力（600V）和适中的导通电流能力（10A），使其适用于中高功率的电源转换系统。该器件的导通电阻（Rds(on)）为0.55Ω，在VGS为10V时可实现较低的导通损耗，有助于提高整体系统的能效。
该MOSFET采用了先进的平面工艺技术，具有优异的热稳定性和抗雪崩能力，能够在高电压和高电流条件下保持稳定的运行。此外，FQP10N60CF 的TO-220封装形式具有良好的散热性能，有助于在高功率操作下保持较低的工作温度，从而提高系统的可靠性和寿命。
在动态性能方面，FQP10N60CF 提供较快的开关速度，适用于高频开关应用。其输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）较低，有助于减少开关损耗，提高系统效率。同时，该器件具备较高的dv/dt耐受能力，有助于防止在高频率开关过程中产生误导通现象。
此外，FQP10N60CF 的设计符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，适用于绿色电子产品的制造。
FQP10N60CF 广泛应用于各类电源管理系统中，尤其是在需要中高功率开关的场合。其典型应用包括开关电源（SMPS）、离线电源适配器、DC-DC转换器、UPS（不间断电源）、LED照明驱动电源以及电机驱动控制系统。此外，该器件也可用于电池充电器、工业自动化设备、功率因数校正（PFC）电路以及各种家电产品中的功率控制模块。其高耐压和适中电流能力使其成为多种通用功率开关应用的理想选择。
STP10NK60Z, IRFBC20, FQA10N60C, FQP13N60C
