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PZU8.2B3A,115 发布时间 时间:2025/9/13 21:01:16 查看 阅读:9

PZU8.2B3A,115 是一款由 NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压参考和稳压应用。该器件的标称齐纳电压为8.2V,在测试电流下具有良好的稳定性和低动态阻抗。该型号封装在小型 SOD323 表面贴装封装中,适合在空间受限的应用中使用。PZU8.2B3A,115 具有较高的可靠性,适用于各种消费类电子、工业控制和电源管理系统。

参数

类型:齐纳二极管
  标称齐纳电压:8.2 V
  最大耗散功率:300 mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SOD323
  测试电流:5 mA
  动态阻抗:10 Ω(典型值)
  最大漏电流(VR):100 nA(在 V < VZ 时)

特性

PZU8.2B3A,115 齐纳二极管具有多项优良的电气和机械特性,适用于高精度电压参考和稳压电路。其主要特性包括:
  1. **稳定性和精度**:该器件在额定测试电流下的齐纳电压精度高,适合用于需要稳定参考电压的模拟和数字电路中,例如 ADC 或 DAC 的参考源。
  2. **低动态阻抗**:其动态阻抗仅为10Ω(典型值),有助于在负载变化时维持稳定的输出电压,减少电压波动对电路性能的影响。
  3. **小型表面贴装封装**:采用 SOD323 封装,体积小,便于在高密度 PCB 设计中使用,同时适合自动化装配工艺。
  4. **高可靠性**:该器件具有良好的温度稳定性和长期工作可靠性,适用于工业和汽车电子等对稳定性和耐久性要求较高的应用场合。
  5. **低漏电流**:在反向偏置电压低于齐纳击穿电压时,漏电流小于100nA,有助于减少待机状态下的功耗,适用于低功耗设计。
  6. **热性能优化**:尽管采用小型封装,但其设计确保了在最大额定功率下仍能保持良好的热性能,适合中等功率的稳压应用。

应用

PZU8.2B3A,115 由于其稳定的电压特性和小型封装,广泛应用于多种电子系统中。常见应用包括:
  1. **电压参考电路**:在模拟电路、数据转换器和电源管理模块中提供稳定的参考电压,确保系统精度和一致性。
  2. **过压保护电路**:作为基准元件用于触发保护机制,防止电源电压过高损坏敏感电路。
  3. **电源稳压器**:与晶体管等元件配合构建简易的线性稳压电路,适用于对成本和空间敏感的低功率应用。
  4. **信号调节电路**:在传感器接口和模拟信号处理中用作电平钳位或电压限制元件,提高系统稳定性。
  5. **嵌入式控制系统**:用于微控制器和嵌入式系统的电源监测和电压调节,确保系统运行的可靠性。
  6. **消费类电子产品**:如智能手机、平板电脑和便携式设备中,用于电池电压监测、电源管理和信号处理电路。

替代型号

BZX84C8V2, ZMM8V2, MMSZ823-8V2, TZMC8V2

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PZU8.2B3A,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)8.2V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.1V @ 100mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电500nA @ 5V
  • 容差±2%
  • 功率 - 最大320mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)10 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商设备封装SOD-323
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 其它名称934062801115