FQI9N50 时间：2025/12/29 14:47:49 阅读：11

FQI9N50 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于中高功率的开关应用。该器件采用 TO-220 封装，适用于需要高效率和高可靠性的电源系统中。FQI9N50 的最大漏极-源极电压（VDS）为 500V，能够承受较高的电压应力，适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和照明镇流器等应用。

参数

最大漏极-源极电压 VDS：500V
　　最大漏极电流 ID：9A
　　导通电阻 RDS(on)：0.85Ω（典型值）
　　栅极阈值电压 VGS(th)：2V～4V
　　最大耗散功率 PD：40W
　　工作温度范围：-55°C～150°C
　　封装形式：TO-220

特性

FQI9N50 MOSFET 具备出色的导通性能和快速的开关特性，适合在中高功率的开关电源中使用。其导通电阻 RDS(on) 为 0.85Ω，这在 500V 级别的功率 MOSFET 中属于较低水平，能够显著降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的平面工艺和 DMOS 结构，使得其在高频开关应用中表现出良好的稳定性和可靠性。
　　该 MOSFET 的最大漏极-源极电压为 500V，使其能够应对高电压环境下的应力，适用于各种离线式开关电源设计。其最大漏极电流为 9A，能够在较高的负载条件下保持稳定的性能。同时，FQI9N50 的栅极阈值电压范围为 2V～4V，适配多种常见的驱动电路，便于设计和集成。
　　该器件还具有良好的热稳定性，封装形式为 TO-220，具备良好的散热能力，能够在较高的工作温度下长时间运行。其最大耗散功率为 40W，确保在高功率应用中不会轻易因过热而损坏。此外，FQI9N50 在设计中考虑了雪崩能量的承受能力，能够在非正常工作状态下提供一定的保护作用。

应用

FQI9N50 MOSFET 广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源、适配器、充电器、电机驱动器、照明系统（如 HID 镇流器）、DC-DC 转换器和工业自动化设备等。其高耐压特性使其非常适合用于需要将交流市电直接整流后进行功率转换的场合，例如反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构的电源设计。此外，FQI9N50 也常用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）以及各种高效率电源转换模块中，为这些系统提供高效的功率开关功能。