类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：140A（在 Tc=25℃）
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V, Id=70A 时，Rds(on) ≈ 2.7mΩ
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装类型：PowerT7?（双排封装）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

FQI140N03L MOSFET 具备多项优异特性，适用于高性能功率转换系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，增强了电流承载能力和热稳定性，从而提升了整体可靠性。
　　FQI140N03L 的封装设计为 PowerT7?，具有良好的热管理性能，能够有效散热，支持高功率密度设计。此外，该器件支持高电流应用，在 140A 的最大漏极电流下仍能保持稳定的性能表现。
　　其栅极驱动电压范围宽广（最高可达 20V），允许用户根据应用需求选择合适的驱动电压，从而优化开关速度与损耗之间的平衡。FQI140N03L 还具备出色的短路和过热保护能力，适合用于对可靠性和稳定性要求较高的工业和汽车电子系统。
　　由于其封装为表面贴装型（SMD），FQI140N03L 可以简化 PCB 设计，减少焊接点数量，提高生产效率和可靠性。该器件在高温环境下依然保持良好的性能，工作温度范围从 -55℃ 到 +175℃，适用于严苛的工作环境。

FQI140N03L 主要用于需要高效、高电流能力的功率电子系统中。其典型应用包括同步整流型 DC-DC 转换器、服务器电源、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化控制系统。
　　在服务器电源和通信设备中，FQI140N03L 可用于多相电源转换系统，以满足高电流、低电压的处理器供电需求。在电机控制应用中，它可用于 H 桥电路中的高/低边开关，实现高效、快速的电机启停和调速功能。
　　此外，该 MOSFET 还广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统、电动助力转向系统（EPS）等。由于其优异的热管理和高可靠性，FQI140N03L 也适合用于高功率 LED 照明系统的电源管理模块。

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