时间：2025/8/24 22:03:46
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FQI13N50 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。该器件设计用于在高电压和大电流条件下高效工作，广泛应用于电源转换器、电机控制、DC-DC 转换器以及各种功率电子设备中。FQI13N50 采用了先进的平面 DMOS 技术，提供了低导通电阻（Rds(on)）和高耐用性，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流（ID）：13A
漏源电压（VDS）：500V
栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω（最大）
功耗（PD）：60W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
晶体管配置：单
FQI13N50 MOSFET 具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其最大漏源电压（VDS）为 500V，能够承受高电压应力，适用于高压电源转换应用。该器件的最大漏极电流为 13A，能够在较大的电流负载下稳定运行。
其次，FQI13N50 的导通电阻（Rds(on)）典型值为 0.38Ω，在同类器件中属于较低水平。这一特性有助于降低导通损耗，提高系统效率，减少热量产生。此外，该器件具有良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度（最高达 +150°C），适用于高温环境下的应用。
在封装方面，FQI13N50 采用 TO-220 封装形式，这种封装具有良好的散热性能和机械强度，便于安装在散热片上以提高热管理效率。TO-220 封装也广泛应用于工业级电源设计中，兼容性强且易于维护。
此外，FQI13N50 具备±30V的栅极电压容限，这使其在驱动电路设计上更加灵活，能够适应不同的栅极驱动电压和控制电路配置。其最大功耗为 60W，表明其在连续工作状态下具有较强的热承受能力。
从可靠性角度来看，FQI13N50 设计用于工业和高可靠性应用场景，具备较长的使用寿命和稳定的性能表现。这些特性使其成为开关电源、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和充电器等应用的理想选择。
FQI13N50 MOSFET 主要应用于中高功率电子系统中，特别是在需要高电压和较高电流处理能力的场合。其主要应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC 和 DC-DC 转换器、电池充电器、逆变器、电机控制器、LED 照明驱动器以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。在这些应用中，FQI13N50 可以作为主开关器件，实现高效的能量转换与控制。由于其高耐压能力和良好的导通性能，该器件也常用于电源管理模块、电源适配器及消费类电子设备中的高压功率转换部分。
FQPF13N50, IRFBC30, K2843, FQA13N50
