FQI12N20 时间：2025/8/24 17:01:23 阅读：9

FQI12N20是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要应用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET具有较高的耐压能力和较大的电流承受能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制等需要高效能功率开关的场合。FQI12N20采用了先进的平面工艺制造，具备优良的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大连续漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.35Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-220

特性

FQI12N20具备低导通电阻，能够在高电压和大电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高系统的整体效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间工作，提供良好的导通性能。FQI12N20还具有较高的短路耐受能力，使其在突发负载变化或异常工作条件下仍能保持稳定运行。此外，其良好的热稳定性确保在高温环境下依然能够正常工作，适用于各种恶劣的工业环境。
　　FQI12N20的封装形式为TO-220，这种封装不仅具有良好的散热性能，而且便于安装在散热片上，适用于需要高效散热的应用场合。由于其高可靠性和优异的电气性能，FQI12N20被广泛用于各种功率电子设备中。