时间：2025/7/9 14:56:01
阅读：18
FQD8P10TM_F085是一款高性能的MOSFET功率晶体管，专为开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统效率并降低功耗。
其封装形式为TO-263（D2PAK），具有良好的散热性能，适合高功率密度的应用场景。
型号：FQD8P10TM_F085
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源电压）：100V
Rds(on)（导通电阻）：8.5mΩ
Id（持续漏极电流）：42A
栅极电荷：29nC
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装：TO-263
FQD8P10TM_F085具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)仅为8.5mΩ），从而减少了导通损耗。
2. 高速开关性能，栅极电荷较低（29nC），有助于实现高效开关操作。
3. 高雪崩能量能力，提高了器件在异常条件下的可靠性。
4. 采用TO-263封装，具备出色的热管理和电气性能。
5. 支持高频率工作，适用于各种高频应用场景。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
FQD8P10TM_F085广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流功能。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载开关。
5. LED驱动器中的功率控制元件。
6. 各种工业控制设备中的功率转换模块。
FQP10N10,
FDP15N10,
IRFZ44N,
STP10NK10Z
