时间：2025/8/24 22:45:07
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FQD8P10TM 是一款由Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制等场景。其封装形式为TO-252（DPAK），便于在PCB上安装并实现良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS)：100V
最大漏极电流(ID)：8A
导通电阻(RDS(on))：0.018Ω @ VGS = 10V
栅极阈值电压(VGS(th))：1V ~ 2.5V
最大功耗(PD)：2.5W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
FQD8P10TM MOSFET采用了先进的沟槽式技术，使其在低电压应用中具备出色的导通性能和开关特性。其导通电阻RDS(on)仅为0.018Ω，确保在高电流工作条件下，功耗和温升控制在较低水平，从而提高整体系统效率。此外，该器件具备高耐压能力，最大漏源电压为100V，适合多种电源管理应用。
该MOSFET具有较高的热稳定性，TO-252封装设计有助于散热，适用于需要连续高电流负载的工作环境。同时，其栅极阈值电压范围为1V至2.5V，适用于标准逻辑电平驱动，兼容常见的PWM控制器和驱动IC，简化了电路设计。
该器件还具有良好的抗雪崩能力，增强了在高压瞬态条件下的可靠性。其内部结构设计优化了开关损耗，从而支持更高的开关频率，减小外部滤波元件的尺寸，提高电源系统的功率密度。此外，该MOSFET具有较低的输入电容（Ciss）和反向传输电容（Crss），有助于提高高频响应并减少驱动损耗。
FQD8P10TM 主要应用于各种类型的电源转换系统，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高效率和低导通电阻的特性，使其成为电源管理领域中高性能MOSFET的理想选择。
在DC-DC转换器中，FQD8P10TM可作为主开关或同步整流器使用，以提高转换效率并减小电路体积。在电池管理系统中，它可用于实现高效的充放电控制和负载切换。此外，在电机控制和驱动电路中，该MOSFET可提供稳定的高电流输出，并具备良好的热管理和抗过载能力。
由于其封装形式为TO-252（DPAK），易于焊接和安装，因此也广泛应用于消费类电子产品、通信设备、汽车电子以及便携式电源设备中。
Si7410DP-T1-GE3, IRFZ44N, FDP8880, NTD8856NT4G
