您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > CS14N10A4

CS14N10A4 发布时间 时间:2025/4/29 18:00:34 查看 阅读:4

CS14N10A4是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效提升系统效率并减少功率损耗。
  CS14N10A4的设计使其非常适合在高频率和高效率的应用场合中使用,同时其紧凑的封装形式也便于在空间受限的设计中集成。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:4.6A
  栅源开启电压:2.1V~4.0V
  导通电阻(Rds(on)):350mΩ@Vgs=10V
  总功耗:1.2W
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

CS14N10A4具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻:Rds(on)仅为350mΩ,可显著降低导通时的功率损耗。
  2. 快速开关能力:由于其较低的输入电容和输出电荷,CS14N10A4能够在高频应用中表现出色。
  3. 高可靠性:通过严格的制造流程控制,确保器件在极端条件下的稳定性。
  4. 小型化设计:采用节省空间的封装形式,适合现代电子设备对小型化的要求。
  5. 宽工作温度范围:支持从-55℃到150℃的工作温度,适应各种环境条件。

应用

CS14N10A4广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 负载开关
  5. 电池保护电路
  6. 各类便携式电子设备中的功率管理模块

替代型号

IRF530, FDN340P

CS14N10A4推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价