CS14N10A4是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关速度的特点,能够有效提升系统效率并减少功率损耗。
CS14N10A4的设计使其非常适合在高频率和高效率的应用场合中使用,同时其紧凑的封装形式也便于在空间受限的设计中集成。
最大漏源电压:100V
最大连续漏极电流:4.6A
栅源开启电压:2.1V~4.0V
导通电阻(Rds(on)):350mΩ@Vgs=10V
总功耗:1.2W
工作温度范围:-55℃~150℃
CS14N10A4具有以下显著特性:
1. 低导通电阻:Rds(on)仅为350mΩ,可显著降低导通时的功率损耗。
2. 快速开关能力:由于其较低的输入电容和输出电荷,CS14N10A4能够在高频应用中表现出色。
3. 高可靠性:通过严格的制造流程控制,确保器件在极端条件下的稳定性。
4. 小型化设计:采用节省空间的封装形式,适合现代电子设备对小型化的要求。
5. 宽工作温度范围:支持从-55℃到150℃的工作温度,适应各种环境条件。
CS14N10A4广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 负载开关
5. 电池保护电路
6. 各类便携式电子设备中的功率管理模块
IRF530, FDN340P