时间：2025/6/25 21:19:47
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FQD8P10TM-F085是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备等领域。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，适用于需要高效能和低损耗的电路设计。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：8.5A
导通电阻：8.5mΩ
栅极电荷：25nC
总电容：380pF
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流条件下显著降低功耗。
2. 快速开关特性，能够减少开关损耗，提升系统效率。
3. 高雪崩击穿能力，增强了器件的鲁棒性，适合苛刻的工作环境。
4. 小型封装设计，节省PCB空间，便于高密度布局。
5. 优异的热稳定性，确保在高温环境下长期可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. LED驱动器中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的电池保护及充电管理电路。
FQD8P10TM-F090
FQD8P10TM-F075
IRF840
STP85NF10
