FQD7N20LTM 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用 TO-220 封装,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够在高频应用中提供高效性能。
此 MOSFET 的设计使其适用于需要高效率和良好热管理的场景,同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷特性。
型号:FQD7N20LTM
封装:TO-220
Vds(漏源电压):200V
Rds(on)(导通电阻):0.45Ω
Id(连续漏极电流):7A
Ptot(总功耗):63W
fT(特征频率):3.8MHz
Qg(栅极电荷):13nC
Vgs(th)(栅源开启电压):2V~4V
Tj(结温范围):-55℃~150℃
FQD7N20LTM 具备以下显著特性:
1. 高耐压能力,最大漏源电压为 200V,适合高压应用环境。
2. 导通电阻低至 0.45Ω,有效减少导通损耗,提高系统效率。
3. 快速开关速度得益于较低的栅极电荷量(13nC),能够降低开关损耗。
4. 结温范围宽广,从 -55℃ 到 +150℃,确保在极端温度条件下仍能稳定工作。
5. 采用标准 TO-220 封装,便于安装和散热设计。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。
FQD7N20LTM 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换部分。
2. 电机驱动电路,用于控制直流或无刷电机。
3. 各种 DC-DC 转换器,如降压、升压和反激式变换器。
4. 电池保护系统,实现过流和短路保护功能。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
FQP12N20, IRFZ44N, STP7NF20