您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FQD7N20LTM

FQD7N20LTM 发布时间 时间:2025/5/30 15:26:28 查看 阅读:9

FQD7N20LTM 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用 TO-220 封装,具有低导通电阻和高击穿电压的特点,能够在高频应用中提供高效性能。
  此 MOSFET 的设计使其适用于需要高效率和良好热管理的场景,同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷特性。

参数

型号:FQD7N20LTM
  封装:TO-220
  Vds(漏源电压):200V
  Rds(on)(导通电阻):0.45Ω
  Id(连续漏极电流):7A
  Ptot(总功耗):63W
  fT(特征频率):3.8MHz
  Qg(栅极电荷):13nC
  Vgs(th)(栅源开启电压):2V~4V
  Tj(结温范围):-55℃~150℃

特性

FQD7N20LTM 具备以下显著特性:
  1. 高耐压能力,最大漏源电压为 200V,适合高压应用环境。
  2. 导通电阻低至 0.45Ω,有效减少导通损耗,提高系统效率。
  3. 快速开关速度得益于较低的栅极电荷量(13nC),能够降低开关损耗。
  4. 结温范围宽广,从 -55℃ 到 +150℃,确保在极端温度条件下仍能稳定工作。
  5. 采用标准 TO-220 封装,便于安装和散热设计。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足国际法规要求。

应用

FQD7N20LTM 主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换部分。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流或无刷电机。
  3. 各种 DC-DC 转换器,如降压、升压和反激式变换器。
  4. 电池保护系统,实现过流和短路保护功能。
  5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
  6. 汽车电子系统中的继电器替代方案。

替代型号

FQP12N20, IRFZ44N, STP7NF20

FQD7N20LTM推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FQD7N20LTM资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FQD7N20LTM参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C750 毫欧 @ 2.75A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds500pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)