时间：2025/5/30 15:26:28
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FQD7N20LTM 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等领域。该器件采用 TO-220 封装，具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够在高频应用中提供高效性能。
此 MOSFET 的设计使其适用于需要高效率和良好热管理的场景，同时具备快速开关速度和较低的栅极电荷特性。
型号：FQD7N20LTM
封装：TO-220
Vds（漏源电压）：200V
Rds(on)（导通电阻）：0.45Ω
Id（连续漏极电流）：7A
Ptot（总功耗）：63W
fT（特征频率）：3.8MHz
Qg（栅极电荷）：13nC
Vgs(th)（栅源开启电压）：2V~4V
Tj（结温范围）：-55℃~150℃
FQD7N20LTM 具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，最大漏源电压为 200V，适合高压应用环境。
2. 导通电阻低至 0.45Ω，有效减少导通损耗，提高系统效率。
3. 快速开关速度得益于较低的栅极电荷量（13nC），能够降低开关损耗。
4. 结温范围宽广，从 -55℃ 到 +150℃，确保在极端温度条件下仍能稳定工作。
5. 采用标准 TO-220 封装，便于安装和散热设计。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
FQD7N20LTM 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换部分。
2. 电机驱动电路，用于控制直流或无刷电机。
3. 各种 DC-DC 转换器，如降压、升压和反激式变换器。
4. 电池保护系统，实现过流和短路保护功能。
5. 工业自动化设备中的负载切换控制。
6. 汽车电子系统中的继电器替代方案。
FQP12N20, IRFZ44N, STP7NF20
