时间：2025/7/5 5:46:13
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FQD6P25是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效开关性能的电路中。该器件采用TO-220封装，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于多种工业和消费类电子产品。
最大漏源电压：250V
最大漏极电流：6A
导通电阻：0.18Ω
栅源开启电压：2V~4V
总功耗：115W
工作结温范围：-55℃~150℃
FQD6P25具备低导通电阻的特点，能够有效降低功率损耗，提高整体效率。
其较高的漏源电压使其适合用于高压应用场景，例如开关电源和逆变器。
同时，它拥有较快的开关速度，有助于减少开关损耗，并支持高频操作。
此外，该器件具备良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
FQD6P25主要应用于开关电源、逆变器、电机驱动、负载切换电路以及DC-DC转换器等场景。
在开关电源中，它可以用作主开关管或同步整流管，提供高效的电能转换。
在电机驱动领域，它可以控制电机的启停、转向和调速等功能。
此外，该器件也适用于各种需要高电压和大电流处理能力的工业电子设备。
IRF640N
STP6NK60Z
FQP13N25
