时间：2025/4/29 19:36:41
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FQD5N50C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。它具有较低的导通电阻和较高的击穿电压，适合中高功率的应用场合。
该器件采用TO-220封装形式，具有良好的散热性能和可靠性。其工作原理是通过在栅极施加电压来控制漏极和源极之间的电流流动，从而实现开关或调节功能。
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：5A
导通电阻：1.3Ω
总功耗：86W
结温范围：-55℃至+150℃
1. 高击穿电压（500V），适用于高压环境下的电路设计。
2. 较低的导通电阻（1.3Ω），有助于减少功率损耗。
3. 快速开关特性，支持高频应用。
4. TO-220标准封装，易于安装并具备良好的散热性能。
5. 工作温度范围宽，适应各种恶劣环境条件。
FQD5N50C主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的开关器件。
3. 逆变器中的功率级开关。
4. 电池充电器、DC-DC转换器等功率转换设备。
5. 各类工业控制及家电产品中的负载切换控制。
IRF540N
STP55NF06L
FQP50N06L
