类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-40V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-10A（Tc=25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：25mΩ @ VGS = -10V，40A
　　功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

FQD4P40TM_AM002 MOSFET具有多项优异的电气特性，使其在功率转换系统中表现出色。首先，其采用Trench沟槽技术，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体能效。在VGS为-10V时，RDS(on)仅为25mΩ，这使得该器件非常适合用于高电流应用。
　　其次，该器件的漏源电压（VDS）为-40V，连续漏极电流（ID）为-10A，在TO-252封装下具备良好的热性能和功率处理能力，适用于多种中高功率场景。此外，FQD4P40TM_AM002的栅极驱动电压范围较宽（±20V），支持快速开关操作，从而减少开关损耗并提升系统效率。
　　该MOSFET的封装形式为TO-252（也称为DPAK），具有良好的散热性能，并且兼容表面贴装工艺（SMT），适用于自动化生产流程。其热阻（RθJA）约为62℃/W，能够在高功率运行时有效散热，确保器件在高负载条件下的稳定性和可靠性。
　　另外，该器件具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，增强系统的耐用性。这些特性使得FQD4P40TM_AM002在电源管理、电池供电系统、DC-DC转换器以及电机控制等应用中表现出色。

FQD4P40TM_AM002 主要应用于需要高效能、高稳定性的功率电子系统中。其典型应用场景包括同步整流器、降压（Buck）和升压（Boost）型DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、服务器和通信设备的电源模块、便携式电子设备的充电管理电路等。
　　在同步整流器中，该MOSFET作为低边或高边开关使用，显著提高转换效率；在DC-DC转换器中，FQD4P40TM_AM002可作为主开关或同步整流开关，降低导通损耗并提高功率密度；在负载开关应用中，其低导通电阻和高电流能力可有效控制负载的通断，同时减少发热。
　　此外，由于其良好的热性能和封装设计，该器件在紧凑型电源系统和高密度PCB布局中具有明显优势，适合用于高可靠性要求的工业控制、汽车电子和消费类电子产品。

FQP40P06、IRF9540N、Si4435BDY、FDMS86180、FDMS86184