漏源电压(VDS)：500V
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　漏极电流(ID)：4.4A（25℃）
　　功耗(PD)：83W
　　导通电阻(RDS(on))：2.0Ω（最大值）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220、TO-252、TO-263等

FQD4N50C具有优异的性能特性和高可靠性，使其在各类电力系统中表现出色。
　　首先，其漏源电压为500V，适用于高电压工作环境，能够承受较高的反向电压冲击。此外，该MOSFET的最大栅源电压为±30V，这使其在控制电路设计上更加灵活，不易受到栅极电压波动的影响。
　　其次，FQD4N50C的导通电阻RDS(on)最大值为2.0Ω，在同类器件中属于较低水平，能够有效减少导通损耗，提高系统的整体效率。在25℃环境温度下，其最大漏极电流为4.4A，满足中等功率应用的需求。
　　再者，该器件的封装形式多样，包括常见的TO-220、TO-252和TO-263等，适用于不同的电路布局和散热需求。TO-220封装适用于通孔焊接，而TO-263则是表面贴装封装，适合自动化生产流程。
　　此外，FQD4N50C的工作温度范围宽，从-55℃到+150℃，适用于各种恶劣的工作环境，如工业控制、汽车电子和消费类电源设备等。器件的功耗为83W，表明其具备一定的散热能力，可以在较高的功率条件下稳定运行。
　　最后，FQD4N50C具备良好的热稳定性和抗短路能力，增强了器件在高负载条件下的可靠性，从而延长了整个系统的使用寿命。

FQD4N50C广泛应用于多个领域的电力电子设备中。在电源管理方面，常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器中，实现高效的能量转换。此外，该器件也适用于马达控制和驱动电路，如无刷直流电机控制、步进电机驱动等，能够承受较大的电流冲击并保持稳定运行。
　　在照明系统中，FQD4N50C可用于LED驱动器和电子镇流器，提供高效的开关控制和稳定的输出电流。在消费类电子产品中，如电视电源、充电器和适配器中，该MOSFET能够提供可靠的功率控制和节能性能。
　　工业自动化和控制系统中，FQD4N50C用于继电器驱动、电磁阀控制和工业变频器中，确保设备在高电压和高电流条件下稳定运行。此外，它也适用于逆变器和UPS（不间断电源）系统中，作为核心的功率开关器件，实现高效的能量转换和稳定的输出电压。

FQP4N50C, IRF740, STP4NK50Z, 2SK2647