时间：2025/5/15 11:24:20
阅读：8
FQD4N20TM 是一款 N 沪道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电路中。该器件采用 TO-252 封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够满足高效能应用的需求。
这款 MOSFET 适用于中小功率场景，其耐压能力高达 200V，同时具备良好的电流处理能力和热稳定性，非常适合于消费电子、工业控制以及其他需要稳定性能的领域。
最大漏源电压：200V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻（Rds(on)）：1.1Ω（典型值，Vgs=10V）
总功耗：1.3W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252
FQD4N20TM 的主要特点是其较低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，从而提升整体效率。此外，该器件还具有快速开关能力，可以有效降低开关损耗。
该 MOSFET 的栅极阈值电压较低，易于驱动，特别适合电池供电设备或其他低电压应用场景。
在设计上，它采用了先进的制造工艺，确保了较高的可靠性和稳定性，即使在极端温度条件下也能保持优良性能。
另外，由于其较小的封装尺寸，非常适合对空间要求较高的应用场合。
FQD4N20TM 广泛用于多种电子电路中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的开关元件
2. 电机驱动电路中的功率级
3. 逆变器与 DC-DC 转换器
4. LED 驱动电路
5. 电池保护及充电管理
6. 各种负载切换和保护电路
其高耐压和低导通电阻使其成为这些应用的理想选择。
FQP47P06,
FQP50N06L,
IRF540N,
STP4NB60Z
