FQD3N40T是一款由Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)制造的N沟道增强型功率MOSFET,适用于高频率开关应用。这款MOSFET采用先进的平面技术,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,能够在高压和高电流环境下稳定运行。FQD3N40T封装形式为TO-252(DPAK),适合用于表面贴装(SMT)工艺,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及马达控制等领域。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(VDS):400V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):3A
漏极峰值电流(IDM):12A
导通电阻(RDS(on)):2.5Ω @ VGS=10V
功率耗散(PD):50W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
存储温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
FQD3N40T MOSFET具有多项优异特性,使其适用于多种功率电子应用。首先,其漏源电压额定值高达400V,使该器件能够承受高压环境,适用于高电压开关电路。其次,FQD3N40T的导通电阻(RDS(on))为2.5Ω,在VGS=10V时具有较低的导通损耗,从而提高系统的整体效率。
此外,该器件的连续漏极电流为3A,漏极峰值电流可达12A,具备良好的电流承载能力,适合用于需要瞬时高电流的负载控制应用。FQD3N40T采用TO-252(DPAK)封装,具备良好的散热性能,同时支持表面贴装工艺,便于在紧凑型电路设计中集成。
其栅源电压范围为±20V,具备较强的栅极保护能力,减少因过压导致的损坏风险。同时,FQD3N40T具有较低的输入电容(CISS)和快速的开关速度,适用于高频开关应用,如DC-DC转换器、同步整流器等。器件的工作温度范围为-55°C至+150°C,具备良好的热稳定性和可靠性,可在严苛环境中稳定运行。
FQD3N40T广泛应用于各类功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统(BMS)、LED照明驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通性能,FQD3N40T也常用于反激式转换器和正激式转换器中的主开关元件。
在电源管理领域,FQD3N40T可用于构建高效能AC-DC适配器、充电器以及不间断电源(UPS)系统。在电机控制方面,该MOSFET可作为H桥结构中的开关元件,实现对直流电机或步进电机的精确控制。此外,由于其具备良好的热稳定性,FQD3N40T也可用于汽车电子系统中的功率控制模块,如电动窗控制、座椅调节系统等。
FQP3N40, IRF740, FQA3N40C, 2SK2545