时间：2025/5/10 10:12:05
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FQD1P50是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等领域。该器件具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
这款MOSFET采用TO-220封装形式，适合高电流应用场合，同时具备良好的散热性能。其耐压能力较高，可承受高达50V的漏源极电压，适用于多种中低压应用场景。
最大漏源电压(Vds)：50V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：43A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：67nC
开关时间：ton=98ns, toff=39ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 超低导通电阻设计，减少传导损耗。
2. 快速开关特性，降低开关损耗。
3. 高雪崩能量能力，增强器件的鲁棒性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业规范。
5. TO-220封装便于安装与散热管理。
6. 广泛的工作温度范围，适应恶劣环境。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流电机驱动及控制。
3. 各类负载切换电路。
4. 电池保护及管理系统。
5. 逆变器及转换器模块。
6. 工业自动化设备中的功率调节部件。
IRF540N
STP45NF06L
AO3400
