时间：2025/7/3 23:33:05
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FQD19N10TM 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用。其低导通电阻和高开关速度使其成为高效能应用的理想选择。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 100V，连续漏极电流可达 9.3A（在结温为 25°C 时）。由于具备出色的电气性能和热性能，这款芯片能够在较宽的工作温度范围内保持稳定运行，非常适合工业及消费类电子产品中的功率管理需求。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：9.3A
导通电阻：200mΩ（典型值，@Vgs=10V）
栅极阈值电压：2V~4V
最大功耗：1.3W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252
FQD19N10TM 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：其 100V 的漏源电压能够满足大多数中低压应用的需求。
2. 低导通电阻：仅为 200mΩ（典型值），有助于降低导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：得益于优化的内部结构设计，该 MOSFET 可实现快速的开启与关断，从而减少开关损耗。
4. 热稳定性强：即使在高温环境下也能维持良好的性能输出。
5. 小巧封装：TO-252 封装不仅节省空间，还便于安装和焊接。
6. 高可靠性：通过了严格的测试流程，确保长期使用中的稳定性。
FQD19N10TM 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：如适配器、充电器等设备中的功率转换部分。
2. DC-DC 转换器：用于电压调节和稳压功能。
3. 电机驱动：控制小型直流电机或步进电机的运行。
4. 负载开关：保护电路免受过流或短路的影响。
5. 电池管理系统：实现高效的充放电控制。
6. 工业自动化：参与各类控制系统的功率管理环节。
7. 消费类电子：包括音响设备、家用电器等需要功率控制的产品。
FQP19N10, IRLZ44N, FDN364AN
