时间：2025/4/28 18:38:12
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FQD18N20V2 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等电力电子领域。该器件采用 TO-220 封装形式，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于需要高频开关性能的电路设计。
这款 MOSFET 的最大漏源电压为 200V，持续漏极电流可达 18A（在 25°C 环境温度下）。其出色的开关特性使其非常适合用于 DC-DC 转换器、PWM 控制电路以及其他功率管理场景。
最大漏源电压：200V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：0.24Ω（典型值，在 Vgs=10V 时）
输入电容：1360pF
总功耗：140W（基于环境温度 25°C 和指定封装散热条件）
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
FQD18N20V2 具有以下主要特性：
1. 高电压耐受能力，支持高达 200V 的漏源电压。
2. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度，能够适应高频应用场合。
4. 内置保护功能（如雪崩能量吸收能力），增强器件在异常情况下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业要求。
6. TO-220 封装易于安装，并具备良好的散热性能。
FQD18N20V2 在多种电力电子设备中有广泛应用，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路中的功率级组件。
3. 太阳能逆变器及不间断电源（UPS）的核心功率转换模块。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 高效 DC-DC 转换器的设计。
6. 电磁阀和继电器驱动电路。
IRFZ44N, STP18NF06, FQP18N20C
