时间：2025/8/2 9:05:40
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FQD16N25CTM 是一款由 Fairchild（飞兆半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于需要高效功率管理的应用场景。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻、高击穿电压和优异的热稳定性，非常适合用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：250 V
连续漏极电流（ID）：16 A（Tc=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：0.22 Ω（最大值，VGS=10V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2~4 V
工作温度范围：-55℃~150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
功率耗散（PD）：50 W
FQD16N25CTM 是一款专为中高功率应用设计的 MOSFET，其核心优势在于具备较低的导通电阻（RDS(on)），从而在高电流工作条件下降低功率损耗并提升系统效率。此外，该器件的漏源电压（VDS）高达 250V，使其适用于多种高压电源管理应用。
该 MOSFET 的封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定运行。其栅极阈值电压范围为 2~4V，与常见的逻辑电平控制器兼容，便于直接驱动。
在可靠性方面，FQD16N25CTM 具备较强的抗雪崩能力和热稳定性，适用于需要长期稳定工作的工业和汽车电子系统。其低导通电阻和高电流承载能力也使得该器件在 DC-DC 转换器和负载开关中表现出色，有助于减少外围电路的复杂度和成本。
该器件还具有快速开关特性，能够适应高频开关应用，从而减小电感和变压器的体积，提升系统整体效率。同时，其封装形式支持表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产。
FQD16N25CTM 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于以下领域：
? 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器
? DC-DC 转换器，如降压（Buck）和升压（Boost）电路
? 电池管理系统中的负载开关或充放电控制
? 工业电机驱动器和逆变器
? LED 照明系统的电源管理模块
? 电源适配器和充电器设计
由于其高耐压特性和良好的热管理能力，该 MOSFET 特别适合用于中高功率密度设计。
FQP16N25C, IRF840, FQA16N25C, FQPF16N25C
