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FQD16N25 发布时间 时间:2025/8/24 17:01:00 查看 阅读:4

FQD16N25 是一款由 Fairchild Semiconductor(飞兆半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理和功率转换电路中。该器件设计用于高效能、低导通损耗和快速开关性能,适合于 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关等应用场景。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏极电流(ID):16A
  漏源电压(VDS):250V
  栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):0.17Ω(最大值)
  功耗(PD):50W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

FQD16N25 具备一系列优良的电气特性和可靠性设计,适用于中高功率的电源系统。其核心特性包括:
  ? 低导通电阻(RDS(on)):最大值为 0.17Ω,确保在高电流下仍具有较低的导通损耗,提高系统效率。
  ? 高耐压能力:漏源电压(VDS)可达 250V,使其适用于多种高压应用场合。
  ? 快速开关特性:该器件具有较低的栅极电荷(Qg),有助于实现快速的开关转换,从而减少开关损耗,提高整体能效。
  ? 过热保护:内置的热保护功能可在高温环境下防止器件损坏,提高系统的稳定性与安全性。
  ? 高可靠性:采用 TO-220 封装,具有良好的散热能力,适合在高功率密度设计中使用。
  ? 静电放电(ESD)保护:提供一定的 ESD 耐受能力,增强器件在装配和使用过程中的抗静电能力。
  ? 高电流承载能力:漏极电流可达 16A,适用于多种中高功率电源转换应用。
  ? 宽工作温度范围:支持 -55°C 至 +150°C 的工作环境,适应各种严苛的工业和汽车电子应用需求。

应用

FQD16N25 广泛应用于多种电源管理与功率控制领域,适用于以下典型应用场景:
  ? 开关电源(SMPS):作为主开关或同步整流器使用,提高转换效率并降低损耗。
  ? DC-DC 转换器:用于升压(Boost)或降压(Buck)电路中,实现高效的电压转换。
  ? 电池管理系统:作为负载开关或充电控制开关,提供可靠的电流控制。
  ? 电机驱动电路:用于 H 桥结构中,控制直流电机的正反转与速度调节。
  ? 工业自动化设备:在 PLC 或伺服驱动器中作为功率开关使用。
  ? LED 照明驱动:用于恒流控制电路,提供稳定的电流输出。
  ? 电源适配器:在 AC-DC 转换器中作为主开关管,提升效率并减小体积。
  ? 汽车电子系统:如车载充电器、LED 灯具驱动等应用。

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IRF840, FDPF16N25, FQA16N25C, STF16N25M

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