时间：2025/6/14 11:18:07
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FQD12N20LTM 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制造工艺设计，旨在提供高效率和低导通电阻。该器件适用于多种开关应用，具有出色的开关特性和较低的功耗，非常适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等场景。
这款 MOSFET 的封装形式通常为 TO-252 或 DPAK，具体以实际产品为准，其卓越的性能使其成为许多工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：200V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：0.18Ω
栅极电荷：34nC
输入电容：1170pF
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FQD12N20LTM 具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：额定漏源电压高达 200V，确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：典型值仅为 0.18Ω，从而降低传导损耗并提高整体效率。
3. 快速开关能力：优化的栅极电荷和开关时间，使其能够胜任高频应用场景。
4. 高可靠性：具备良好的热稳定性和耐用性，可承受较宽的工作温度范围。
5. 小型化封装：采用紧凑型封装，有助于节省电路板空间，同时便于散热管理。
FQD12N20LTM 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS)：如 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的主开关管。
2. 电机驱动：用于控制无刷直流电机或其他类型的电机。
3. 负载开关：实现对不同负载的有效切换与保护。
4. 电池管理系统 (BMS)：用于电池充放电路径的控制。
5. 工业自动化设备：例如 PLC 控制器、传感器接口电路等。
6. 消费电子产品：如笔记本电脑适配器、LED 照明驱动电路等。
FQP12N20,
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STP12NF20,
IXFN12N20T2
