时间：2025/5/22 18:38:15
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FQD11P06TM 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等需要高效能和低导通损耗的场景。该器件采用 TO-252 封装，具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，能够满足多种工业及消费类电子应用的需求。
该功率 MOSFET 的设计使其在高频开关应用中表现出色，同时具备良好的热性能和电气稳定性。
型号：FQD11P06TM
类型：N沟道 MOSFET
封装：TO-252 (DPAK)
VDS（漏源电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：11mΩ（典型值，VGS=10V）
ID（连续漏极电流）：38A
VGS（栅源电压）：±20V
fT（特征频率）：2.7MHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FQD11P06TM 的主要特点是其较低的导通电阻 RDS(on)，这使得它在高电流应用中具有更高的效率和更低的功耗。
此外，该器件的高栅极阈值电压确保了在噪声环境下具有较强的抗干扰能力。
它还具有快速开关速度和较低的输入电容，适用于高频开关电路。
由于采用了 TO-252 封装，该器件具备良好的散热性能，可以有效降低运行时的温升。
其 60V 的耐压能力使其非常适合用于中低压系统中的功率转换和控制任务。
FQD11P06TM 广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 电池管理系统（BMS）
5. LED 驱动电路
6. 工业自动化设备
7. 消费类电子产品中的负载开关
该器件的高性能和可靠性使其成为这些应用的理想选择。
FQP11N06,
IRLZ44N,
FDP11N06,
STP36NF06
