FQD10N20D 时间：2025/7/4 6:36:22 阅读：9

FQD10N20D是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大应用。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及较高的电流处理能力，适合于各种电源管理电路和功率转换应用。
　　这种MOSFET适用于直流电机驱动、负载开关、降压/升压转换器以及其他需要高效功率切换的场合。

参数

最大漏源电压：200V
　　连续漏极电流：10A
　　导通电阻：0.15Ω
　　栅极阈值电压：2V~4V
　　总功耗：10W
　　工作结温范围：-55℃~150℃

特性

FQD10N20D具有以下关键特性：
　　1. 高耐压能力，支持高达200V的工作电压。
　　2. 较低的导通电阻，在典型条件下为0.15Ω，有助于降低传导损耗。
　　3. 快速开关特性，能够有效减少开关损耗。
　　4. 紧凑的封装形式，便于在有限空间内进行布局设计。
　　5. 工作温度范围宽，适应恶劣环境下的应用需求。
　　6. 栅极电荷较低，驱动简单且效率高。

应用

FQD10N20D广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. 直流-直流转换器中的主开关或同步整流元件。
　　3. 电池保护电路中的负载开关。
　　4. 各种电机驱动电路中的功率控制元件。
　　5. LED驱动电路中用于调光或稳压的开关组件。
　　6. 逆变器和不间断电源（UPS）系统中的功率切换元件。