时间：2025/4/29 19:02:36
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FQB8P10是一种N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合应用于直流-直流转换器、负载开关、电机驱动器以及其他需要高效功率切换的场景中。
由于其出色的性能，FQB8P10在便携式设备、计算机外设及消费类电子产品等领域得到了广泛应用。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：10A
导通电阻（典型值）：13mΩ
栅极电荷（典型值）：4nC
总电容（输入电容）：320pF
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻设计有助于降低功耗并提升效率。
2. 快速开关特性减少了开关损耗。
3. 具备较高的雪崩击穿能量能力，增强了器件的可靠性。
4. 小巧的TO-252封装形式能够节省PCB空间。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 内置ESD保护电路以提高抗静电能力。
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. 各种降压或升压DC-DC转换器。
3. 电池供电设备中的负载开关控制。
4. 消费类电子产品的电源管理模块。
5. 工业自动化领域的小型电机驱动。
6. LED照明系统的恒流驱动电路。
FQD8N10, FDS6670A, IRLZ44N
