时间：2025/5/16 14:34:24
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FQB8N60C是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）生产。该器件采用TO-252封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：8A
栅极阈值电压：4V~6V
导通电阻：1.7Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：1.3W
工作温度范围：-55℃~150℃
FQB8N60C是一种高压MOSFET，具备以下特点：
1. 高耐压能力，适合600V以上的应用场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功率损耗。
3. 快速开关特性，适用于高频开关电路。
4. 采用小型化表面贴装TO-252封装，节省PCB空间。
5. 具备良好的热稳定性和可靠性，适合高温环境下的长期运行。
6. 内置雪崩保护功能，提高器件在过载条件下的耐用性。
FQB8N60C常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率转换模块。
2. 直流电机驱动和控制电路。
3. 负载切换和保护电路。
4. 逆变器和UPS系统。
5. 工业自动化设备中的功率管理部分。
6. 汽车电子系统的电源管理和电机控制。
其高电压和大电流处理能力使其成为许多中高功率应用的理想选择。
FQP8N60C, IRF840, STP8NB60
