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HY5DU561622ETP-D43DR-C 发布时间 时间:2025/9/2 0:15:32 查看 阅读:6

HY5DU561622ETP-D43DR-C 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,采用DDR2 SDRAM技术。该芯片广泛用于需要高性能和高存储密度的电子设备中,如计算机主板、嵌入式系统、工业控制设备等。其封装类型为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于紧凑型设计并具有良好的散热性能。

参数

容量:256MB
  类型:DDR2 SDRAM
  数据宽度:16位
  封装类型:TSOP
  工作电压:2.3V - 3.6V
  最大时钟频率:166MHz
  数据速率:333Mbps(DQ速率)
  刷新周期:64ms
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)

特性

HY5DU561622ETP-D43DR-C 采用先进的CMOS技术制造,具有低功耗和高可靠性的特点。其DDR2技术支持预取架构和差分时钟信号,提高了数据传输的稳定性和效率。该芯片具备自刷新模式和部分阵列刷新功能,有助于在低功耗应用场景下延长数据保持时间。此外,它还支持突发长度可编程(Burst Length Programmable)功能,允许用户根据应用需求调整数据传输模式,从而优化系统性能。
  该芯片的TSOP封装设计确保了良好的电气性能和机械稳定性,适用于自动化焊接工艺。其宽工作温度范围使其适用于工业控制、通信设备等严苛环境。HY5DU561622ETP-D43DR-C 也支持多种操作模式,包括突发模式、自动预充电模式和深度掉电模式,进一步增强了其在不同应用场景中的适应性。

应用

HY5DU561622ETP-D43DR-C 主要用于需要中等容量高速存储的电子设备中。典型应用包括工业控制主板、嵌入式系统、通信设备、视频采集与处理设备、医疗仪器以及消费类电子产品。由于其具备低功耗、高性能和工业级温度范围的特性,特别适用于对稳定性要求较高的工业自动化和通信基础设施领域。此外,该芯片也可用于旧一代PC主板、图形加速卡以及网络设备中,作为临时数据缓存或主存使用。

替代型号

HY5PS121621AFP-Y5CB-K, MT48LC16M2A2B4-6A, K4T560832E

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