类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：7A
　　最大漏-源电压（VDS）：800V
　　最大栅-源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值）
　　栅极电荷（Qg）：34nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

FQB7N80C具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高耐压能力（800V VDS）使得该器件适用于高电压环境，如AC-DC转换器和工业电源设备。其次，低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率，同时降低发热，提升整体可靠性。
　　此外，FQB7N80C的栅极电荷（Qg）较低，有利于实现快速开关动作，从而减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。其TO-220封装具备良好的散热性能，确保在高电流工作条件下仍能维持稳定的温度表现。
　　该MOSFET还具备出色的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定运行，避免因电压尖峰导致的损坏。同时，±30V的栅极电压耐受能力增强了器件在复杂驱动环境下的稳定性，降低了因驱动电路异常而造成栅极击穿的风险。
　　在实际应用中，FQB7N80C展现出良好的抗干扰能力和长期稳定性，适合用于要求高可靠性和高效率的工业级电源系统，如LED照明电源、太阳能逆变器、电池充电器和电机驱动电路。

FQB7N80C广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动电路、工业自动化设备、电机控制器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、不间断电源（UPS）以及太阳能逆变器等。由于其高电压能力和良好的热稳定性，该器件特别适合于需要高可靠性和高效率的中高功率应用场景。

FQA7N80C, FQB8N80C, FQA8N80C, STF8NM80