时间：2025/12/28 10:09:30
阅读：8
CPH3350-TL-H是一款由Central Semiconductor Corp生产的双N沟道MOSFET晶体管，专为高效率、高性能的电源管理及开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽型MOSFET工艺制造，能够在低电压驱动条件下实现优异的导通性能和快速开关响应。由于其小型化封装和出色的电气特性，CPH3350-TL-H广泛应用于便携式电子设备、电池供电系统、DC-DC转换器、负载开关以及各类需要紧凑布局和高效能表现的电路中。该器件符合RoHS环保标准，并具有无铅（Pb）处理兼容性，适用于现代绿色电子产品生产要求。CPH3350-TL-H通常采用SOT-363（SC-88）小型六引脚封装，节省PCB空间，适合高密度贴装设计。
这款双N通道MOSFET在逻辑电平驱动下即可实现良好的导通特性，使其可以直接由微控制器或数字逻辑IC进行控制，无需额外的栅极驱动电路。此外，器件内部结构经过优化，具有较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），有助于降低开关损耗并提高整体系统效率。其对称的源极与漏极结构也为某些双向开关应用提供了便利。总体而言，CPH3350-TL-H是一款兼具高性能与成本效益的小信号MOSFET解决方案，适用于多种低功率模拟和数字开关场景。
型号：CPH3350-TL-H
通道类型：双N沟道
最大漏源电压（Vds）：30V
最大连续漏极电流（Id）：1.4A
最大脉冲漏极电流（Id_pulse）：2.8A
最大栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻Rds(on)：55mΩ @ Vgs=10V；70mΩ @ Vgs=4.5V
阈值电压Vgs(th)：1.0V ~ 2.0V
栅极电荷Qg：3.5nC @ Vds=15V, Id=0.7A
输入电容Ciss：320pF @ Vds=15V
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-363（SC-88）
安装方式：表面贴装（SMD）
CPH3350-TL-H具备多项关键特性，使其成为低功率开关和电源管理应用中的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的整体能效，尤其在电池供电设备中可有效延长续航时间。其次，该器件支持逻辑电平驱动，在Vgs=4.5V时仍能保持较低的Rds(on)，这意味着它可以轻松地被3.3V或5V的微处理器IO口直接驱动，简化了外围电路设计，减少了元件数量和系统复杂度。此外，其较小的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，从而减少了开关过程中的过渡损耗，特别适用于高频工作的DC-DC变换器和PWM控制电路。
另一个重要特点是其采用SOT-363六引脚封装，不仅体积小巧，便于在空间受限的应用中布局，而且引脚排列合理，有利于热管理和信号完整性。双MOSFET集成在一个封装内，可用于构建H桥、同步整流、双路负载开关等电路，提高了集成度并节省了PCB面积。同时，该器件具有较高的热稳定性，可在宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费类电子环境。其ESD保护能力也较为出色，增强了在实际生产和使用过程中的可靠性。最后，CPH3350-TL-H的制造工艺成熟，一致性好，批量使用时性能稳定，适合自动化贴片生产和大规模应用。这些综合优势使得它在智能手机、平板电脑、无线耳机、便携医疗设备、IoT终端等领域得到了广泛应用。
CPH3350-TL-H主要应用于需要小型化、高效率和逻辑电平驱动能力的电子系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源开关和负载管理模块，例如手机、智能手表和蓝牙耳机中的背光控制或传感器供电切换。它也被广泛用于DC-DC降压或升压转换器中的同步整流部分，以替代传统肖特基二极管，从而提升转换效率并减少发热。在电池管理系统（BMS）或充电管理电路中，该器件可用作反向电流阻断或充放电路径的控制开关。
此外，CPH3350-TL-H适用于各类信号切换和多路复用场景，如音频信号路由、I2C总线隔离、USB电源控制等。由于其双通道设计，还可以用于构建简单的H桥驱动电路，控制微型直流电机的正反转，常见于玩具机器人、小型风扇或摄像头调焦机构中。在工业控制领域，它可用于PLC模块、传感器接口板上的低功率开关单元。得益于其高集成度和小尺寸封装，该器件也非常适合用于高密度印刷电路板设计，尤其是在追求轻薄化的现代电子产品中发挥重要作用。
DMG3415U,TSM2302TC,SI2302DS
