时间：2025/8/25 7:16:24
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FQB7N60TM_WS是一款由富士电机（Fuji Electric）制造的高性能N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的功率半导体技术，适用于高效率、高可靠性的功率转换系统。该器件设计用于高电压和中高功率应用，具备优良的导通和开关性能，适用于诸如电源、DC-DC转换器、马达驱动器以及工业自动化设备等多种应用场景。FQB7N60TM_WS采用TO-220外壳封装，具有良好的散热性能，能够有效降低运行时的热损耗，延长器件使用寿命。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：7A
最大漏源电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2V~4V
最大栅极电压（VGS）：±30V
工作温度范围：-55°C~150°C
封装形式：TO-220
FQB7N60TM_WS具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其高耐压特性（600V漏源电压）使其能够适用于多种高电压应用，确保器件在高压环境下稳定运行。
其次，该MOSFET的导通电阻较低（典型值为1.2Ω），有助于降低导通损耗，提高整体系统效率，尤其适用于需要高效能转换的电源和DC-DC变换器设计。
此外，该器件具备良好的热稳定性，TO-220封装提供了良好的散热能力，确保在高功率运行条件下仍能保持较低的结温，从而提高系统的可靠性与稳定性。
FQB7N60TM_WS还具备快速开关特性，降低了开关损耗，使得其在高频开关应用中表现出色。其栅极驱动要求适中，兼容多种标准的MOSFET驱动电路，便于在各种应用中实现灵活的设计集成。
该器件还具备较高的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供一定程度的保护，增强系统的鲁棒性。
FQB7N60TM_WS广泛应用于多个工业和消费类电子产品中。常见应用包括开关电源（SMPS）、AC-DC转换器、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、马达控制模块以及工业自动化设备中的功率控制单元。
在电源管理领域，该MOSFET可用于构建高效能的功率因数校正（PFC）电路，提升电源的能效和稳定性。
在马达驱动应用中，FQB7N60TM_WS的快速开关特性和低导通电阻使其适用于H桥驱动电路，实现对直流马达或步进马达的高效控制。
此外，该器件也可用于LED照明驱动、电池管理系统（BMS）以及新能源设备中的功率变换电路。
FQA7N60C、FQP7N60、IRF740、2SK2142
