时间：2025/5/15 14:37:11
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FQB6N80TM是一款由Fairchild（现为ON Semiconductor）生产的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高电压应用领域。其耐压能力高达800V，同时具有较低的导通电阻和快速的开关速度，适用于需要高效功率转换的应用场景。
FQB6N80TM采用TO-247封装形式，能够提供良好的散热性能，并且在高频工作条件下保持稳定的性能表现。
最大漏源电压：800V
连续漏极电流：5.8A
导通电阻：1.3Ω
栅极电荷：30nC
输入电容：980pF
总功耗：140W
工作温度范围：-55℃至+150℃
FQB6N80TM具备以下显著特性：
1. 高击穿电压：该器件可承受高达800V的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：在典型的工作条件下，导通电阻仅为1.3Ω，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
3. 快速开关性能：其低栅极电荷设计确保了快速的开关速度，从而减少开关损耗。
4. 高可靠性：经过严格的制造工艺控制，FQB6N80TM能够在恶劣环境下长期稳定运行。
5. 优异的热性能：得益于TO-247封装形式，器件具有较大的散热面积，能有效散发热量。
FQB6N80TM适用于多种电力电子设备：
1. 开关电源：用于AC-DC或DC-DC转换电路中，作为主开关管实现高效的能量传递。
2. 电机驱动：在工业自动化领域，可用于控制直流电机或步进电机的速度和方向。
3. 逆变器：在太阳能发电系统或其他交流电源生成场景中，作为功率级元件完成直流到交流的转换。
4. PFC电路：用于功率因数校正，提升用电设备对电网的适应性。
5. 电磁阀驱动：在汽车电子或家电产品中，驱动电磁阀进行开闭控制。
FQP13N80,
STP80NF10,
IRF840
