时间：2025/6/11 11:07:06
阅读：4
FQB6N80是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要适用于高电压、高效率的开关应用。其耐压值为800V，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够满足各种电源管理需求。该器件通常用于开关电源、逆变器、电机驱动以及其他需要高压开关的应用场景。
最大漏源电压：800V
最大连续漏极电流：6A
最大漏源脉冲电流：18A
栅极阈值电压：3V至6V
导通电阻（典型值）：2.4Ω
总功耗：150W
结温范围：-55℃至+150℃
FQB6N80具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，适合高达800V的工作环境。
2. 较低的导通电阻，在高压条件下提供高效的性能。
3. 快速开关速度，有助于减少开关损耗。
4. 优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作。
5. 高雪崩能量能力，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
6. 小型化封装，便于集成到紧凑设计中。
FQB6N80广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括AC/DC转换器和DC/DC转换器。
2. 逆变器和UPS系统，提供高效可靠的功率控制。
3. 电机驱动电路，用于工业自动化和家用电器。
4. LED照明驱动器，实现精确的电流调节。
5. 充电器和适配器，支持快速充电功能。
6. 各种高压开关应用，如电磁阀驱动和电子负载模拟。
FQD6N80E, IRFR740, STP6NK80Z
