FQB60N03K 时间：2025/8/24 11:04:50 阅读：5

FQB60N03K是一款由富士通半导体（Fujitsu Semiconductor）推出的N沟道功率MOSFET，设计用于高效率的功率转换应用，如电源管理、DC-DC转换器和电机控制。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于需要高可靠性和高性能的工业和消费类电子产品。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.7mΩ（典型值）
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TO-220
　　栅极电荷（Qg）：约48nC
　　输入电容（Ciss）：约1300pF
　　功耗（PD）：100W

特性

FQB60N03K的主要特性包括低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。该MOSFET的高电流容量和低RDS(on)使其在高负载条件下仍能保持稳定的性能。此外，FQB60N03K采用了先进的硅技术，确保了其在高频率开关应用中的优异表现。其封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，能够在高温环境下可靠运行。该器件还具有较高的dv/dt抗扰度，减少了开关过程中可能引起的噪声和干扰。
　　在可靠性方面，FQB60N03K经过严格的测试和验证，能够在各种恶劣的工作条件下保持稳定。其设计符合RoHS标准，适用于环保要求较高的应用场合。FQB60N03K的栅极驱动电压范围较宽，通常为4.5V至10V，适用于多种驱动电路的设计。

应用

FQB60N03K广泛应用于各类电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机控制电路。在服务器和通信设备的电源模块中，该MOSFET可用于高效能的功率转换。此外，FQB60N03K也适用于电池供电设备中的电源管理电路，如笔记本电脑、平板电脑和智能移动设备。由于其高电流处理能力和低损耗特性，它还被用于工业自动化设备中的电机驱动电路和负载控制应用。