时间：2025/5/21 19:37:54
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FQB5N60C是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252封装形式。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和负载开关等场景中。其主要特点包括低导通电阻、高击穿电压以及快速开关速度，这些特性使得它在效率和性能方面表现出色。
FQB5N60C的设计使其能够在高频应用中保持较低的损耗，并且具有良好的热稳定性和可靠性。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：1.3A
导通电阻（典型值）：750mΩ
栅极阈值电压：2V~4V
总功耗：1.8W
工作结温范围：-55℃~150℃
1. 高击穿电压（600V），适合高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（750mΩ典型值），有助于降低传导损耗。
3. 快速开关特性，能够适应高频电路需求。
4. 小型TO-252封装，节省PCB空间。
5. 良好的热稳定性，确保在高温环境下正常工作。
6. 可靠性高，适用于严苛的工作条件。
1. 开关电源中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心元件。
3. 各类电机驱动电路中的开关元件。
4. 负载开关及保护电路中的关键部件。
5. 逆变器和电池管理系统中的功率控制元件。
FQP5N60C,FQD5N60C
