时间：2025/5/12 15:46:17
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PSMN013-100PS 是一款 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），属于 Nexperia 公司的 PSM 系列。该器件采用 PDFN5x6 封装，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种开关电源、电机驱动和负载开关等应用。这款 MOSFET 的设计使其能够在高频开关条件下提供卓越的性能表现。
PSMN013-100PS 在便携式设备、消费电子、工业控制和通信领域中被广泛使用，其紧凑型封装形式非常适合对空间要求严格的电路设计。
漏源极电压：100V
连续漏极电流：1.7A
导通电阻：240mΩ
栅极电荷：4.5nC
总耗散功率：0.5W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装类型：PDFN5x6
PSMN013-100PS 的主要特性包括：
1. 超低导通电阻，能够有效减少功率损耗并提升整体效率。
2. 极小的封装尺寸使得它非常适用于需要节省印刷电路板空间的应用场景。
3. 高开关速度源于较低的栅极电荷值，从而减少了开关损耗。
4. 符合 RoHS 标准，并且支持无铅焊接工艺。
5. 提供优异的热稳定性和可靠性，适合在恶劣的工作环境下运行。
PSMN013-100PS 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的初级侧或次级侧开关。
2. 各种电池供电设备中的负载开关功能实现。
3. DC-DC 转换器以及 LED 驱动电路中的关键元件。
4. 小功率电机驱动电路中的功率级控制。
5. 电信及网络设备中的保护电路设计。
6. 工业自动化系统内的信号隔离与功率传输环节。
PSMN016-100PS
PSMN019-100PS
