FQB5N60是一款N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产。该器件适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等应用,能够实现高效的功率转换和控制。FQB5N60采用TO-220封装,具有高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点,适合中高电压应用环境。
作为一款垂直结构的MOSFET,FQB5N60通过其栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动,广泛应用于需要高性能功率管理的场合。
最大漏源电压:600V
连续漏极电流:4.8A
栅极阈值电压:3V~5V
导通电阻(Rds(on)):3.5Ω(在Vgs=10V时)
总功耗:135W
工作结温范围:-55℃~150℃
封装形式:TO-220
FQB5N60的主要特性包括以下几点:
1. 高耐压能力:最大漏源电压达600V,适用于高压应用场景。
2. 低导通电阻:Rds(on)仅为3.5Ω(在Vgs=10V条件下),有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能:具备较短的开关时间,可减少开关损耗。
4. 稳定性强:能够在广泛的温度范围内稳定工作,适用于恶劣的工作环境。
5. 小型化设计:采用标准TO-220封装,便于安装和散热管理。
这些特性使得FQB5N60成为各种电力电子设备中的理想选择,尤其在需要高效能和高可靠性的场景下表现优异。
FQB5N60适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS):用于功率转换和调节输出电压。
2. DC-DC转换器:实现直流电压的升降变换。
3. 电机驱动:控制电机的速度和方向。
4. 负载开关:保护电路免受过流或短路的影响。
5. 电池充电器:管理充电过程以优化电池寿命。
由于其高耐压和低导通电阻的特性,FQB5N60特别适合需要高效率和可靠性的电力系统设计。
FQP5N60S, IRF540N, STP5NK60Z