时间：2025/5/23 2:57:29
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FN03N100J500PLG是一款高压MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应管。该器件通常用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高电压切换的应用场景。其设计特点包括低导通电阻、高击穿电压以及良好的热稳定性。这款芯片能够提供出色的效率和可靠性，适用于工业及消费电子领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：3A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻：0.18Ω
总功耗：50W
工作温度范围：-55℃~175℃
FN03N100J500PLG采用了先进的制造工艺，具有以下显著特点：
1. 高耐压能力，可承受高达100V的漏源电压，确保在高压环境下的稳定运行。
2. 低导通电阻（Rds(on)），仅为0.18Ω，在大电流应用中减少功率损耗并提高效率。
3. 快速开关速度，支持高频操作，适合现代高效能电力电子设备。
4. 宽广的工作温度范围，从-55℃到175℃，使其适应极端环境条件。
5. 内置ESD保护机制，提高了器件的抗静电能力和可靠性。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
该器件广泛应用于各种电力电子系统中，具体包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的功率级元件。
3. 电机驱动电路中的桥式配置元件。
4. 太阳能逆变器中的开关元件。
5. 各种负载切换和保护电路中的开关元件。
6. 电池管理系统(BMS)中的保护和均衡控制组件。
IRFZ44N
STP36NF10L
FDP5500
AO3400
