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GA0603Y223MBBAR31G 发布时间 时间:2025/6/4 19:34:14 查看 阅读:8

GA0603Y223MBBAR31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,主要用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,从而能够显著提高系统的效率并降低能耗。
  这款功率MOSFET属于N沟道增强型器件,支持高频率操作,广泛应用于工业控制、消费类电子产品以及通信设备等领域。

参数

型号:GA0603Y223MBBAR31G
  类型:N沟道功率MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  功耗(PD):180W
  工作温度范围(Top r):-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247

特性

GA0603Y223MBBAR31G 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可以减少功率损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关性能,能够适应高频应用需求。
  3. 强大的抗雪崩能力,确保在异常情况下仍能保持稳定运行。
  4. 具备良好的热稳定性,在高温环境下依然表现优异。
  5. 提供卓越的电磁兼容性(EMC),减少对周围电路的干扰。
  6. 支持大电流操作,满足各种复杂应用场景的需求。

应用

GA0603Y223MBBAR31G 可广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)设计中的主开关管。
  2. DC-DC转换器的核心功率器件。
  3. 电机驱动电路中的功率开关元件。
  4. 电池保护与管理系统中的关键组件。
  5. 各种工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 消费电子产品的电源管理单元。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5800
  STP30NF06L

GA0603Y223MBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.022 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-