时间：2025/5/23 21:13:06
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FQB5N50CF 是一款 N 沣道通的高频功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件适用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种需要高频开关的应用场景。其设计特点包括低导通电阻、高开关速度和良好的热性能。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻：4.3Ω
栅极电荷：15nC
开关频率：最高可达 500kHz
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252
FQB5N50CF 的主要特性如下：
1. 高耐压能力：能够承受高达 500V 的漏源电压，适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻：在典型条件下具有较低的导通电阻（4.3Ω），有助于减少功率损耗。
3. 快速开关性能：具备较小的栅极电荷（15nC）和较短的开关时间，适合高频应用。
4. 热稳定性强：可在 -55℃ 至 +150℃ 的宽温范围内稳定工作。
5. 小型化封装：TO-252 封装节省了 PCB 空间，同时保持良好的散热性能。
FQB5N50CF 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 各类工业自动化设备中的功率管理模块。
5. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的场合。
FQD10N50, IRF540N
