11NM80是一款高压MOSFET晶体管,广泛应用于电源管理和功率转换领域。这款MOSFET采用了先进的平面工艺技术,具备较高的耐压能力与较低的导通电阻,适用于各类高效率电源系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器以及电机控制电路等。11NM80通常采用TO-220或DPAK等封装形式,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):800V
栅源电压(VGS):±30V
连续漏极电流(ID):11A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):0.72Ω(最大值)
功耗(PD):125W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220、DPAK等
11NM80具有多项优异的电气和机械特性,使其在高压应用中表现出色。首先,其高耐压能力(800V VDS)使得该器件适用于高电压输入的电源系统,如AC/DC转换器。其次,较低的导通电阻(RDS(on))有助于降低导通损耗,提高整体系统的效率。此外,该器件具备较高的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下稳定运行。11NM80还具备快速开关能力,减少开关损耗,适用于高频开关应用。其封装设计有助于有效散热,提升器件的长期运行稳定性。
11NM80主要应用于各种高电压、中高功率的电源系统中。例如,它常用于开关电源(SMPS)中的主开关器件,负责将输入的高压直流电转换为高频脉冲,从而实现高效的能量转换。此外,它也适用于DC-DC转换器、电机驱动电路、LED驱动电源、电池充电器以及工业自动化控制系统中的功率开关模块。由于其良好的热稳定性和耐用性,11NM80也适合用于需要长时间运行的工业设备和家用电器中。
STF11NM80、FDPF11NM80、IRFBC40、10N80、15N80