时间：2025/6/30 23:27:07
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FQB5N50是一款N沟道功率MOSFET，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用TO-220封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够显著降低功耗并提高系统效率。
这款MOSFET在设计上注重散热性能，非常适合需要高电流承载能力的应用场景。同时，其出色的电气特性使其成为众多工业及消费类电子产品的理想选择。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：5A
导通电阻：1.4Ω（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：15nC（典型值）
开关时间：ton=39ns，toff=68ns（典型值）
结温范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
FQB5N50具有以下主要特性：
1. 高耐压能力：最大漏源电压达到500V，确保能够在高压环境下稳定工作。
2. 低导通电阻：在额定条件下，导通电阻仅为1.4Ω，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关性能：其开关时间较短，能够支持高频开关应用。
4. 稳定性高：即使在极端温度范围内也能保持良好的电气性能。
5. 封装坚固：TO-220封装具备优秀的散热能力和机械强度。
这些特点使得FQB5N50在各种功率转换和控制电路中表现出色。
FQB5N50广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电机驱动和逆变器中的功率级开关。
4. 各种工业自动化设备中的负载开关。
5. 消费电子产品中的充电器和适配器。
其高压特性和高效性能使它特别适合于需要可靠功率管理的场合。
FQD5N50
IRF540
STP5NK50Z
