时间：2025/5/12 21:40:45
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FQB5N15是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种功率转换和电机驱动应用。其最大漏源电压为150V，连续漏极电流可达5A，工作温度范围从-55℃到150℃。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：5A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻：1.6Ω（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：79W
工作结温范围：-55℃至+150℃
FQB5N15具有以下关键特性：
1. 高耐压能力，适合多种高压应用场景。
2. 低导通电阻确保了更低的传导损耗，从而提高了系统效率。
3. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 紧凑的TO-220封装设计，便于散热管理和电路板布局。
5. 出色的雪崩击穿能力和耐用性，增强了在异常情况下的可靠性。
6. 工作温度范围宽广，适用于工业和汽车等严苛环境。
这款功率MOSFET广泛应用于以下几个领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. 直流-直流转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 负载切换和保护电路。
5. 电池管理系统中的电子保险丝功能。
6. 各种工业自动化设备和家用电器的功率管理模块。
IRF540N, FQP5N15
