时间：2025/5/7 10:52:15
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FQB45N15V2 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种高频开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。其额定电压为 150V，能够满足大多数高压应用场景的需求。
该 MOSFET 的封装形式通常是 TO-220 或 DPAK，这有助于提高散热性能并确保在高功率环境下的稳定性。此外，它还具有出色的雪崩击穿能力和 ESD 保护特性，从而增强了其在恶劣工作条件下的可靠性。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：38A
导通电阻（典型值）：0.06Ω
栅极电荷：25nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FQB45N15V2 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，从而减少传导损耗并提升效率。
2. 高开关频率支持，使其非常适合高频应用如开关电源和逆变器。
3. 具有良好的热稳定性和抗浪涌能力，可承受瞬时过载情况。
4. 内置反向二极管，简化了电路设计并降低了成本。
5. 封装形式兼容性强，便于安装与维护。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动控制
3. 工业自动化设备中的功率转换
4. 太阳能逆变器及储能系统
5. LED 照明驱动器
6. 各种 DC-DC 和 AC-DC 转换器模块
FQD15N15,
FDP15N15,
IRF15N15,
FQP15N15
