时间：2025/6/21 15:11:52
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FQB32N20C 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor）生产。该器件采用 TO-252 封装形式，适用于高频开关和低功耗应用。其设计特点在于具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等电路中。
该 MOSFET 的最大漏源电压为 200V，支持高达 32A 的脉冲电流，并且具备良好的热稳定性和可靠性，使其成为工业及消费类电子设备的理想选择。
最大漏源电压：200V
持续漏极电流：7.6A
脉冲漏极电流：32A
栅极阈值电压：2V 至 4V
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：0.3Ω
总功耗：18W
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252
FQB32N20C 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，额定漏源电压为 200V，能够适应高压应用场景。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=10V 时典型值仅为 0.3Ω，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关性能，具备较小的输入电容和输出电荷量，从而减少开关损耗。
4. 栅极驱动要求低，可与各种逻辑电路直接兼容。
5. 内置雪崩击穿保护功能，提高了器件的鲁棒性。
6. 小巧的 TO-252 封装节省了 PCB 空间，同时具备良好的散热性能。
这些特性使得 FQB32N20C 成为高效率、紧凑型电源管理解决方案的理想选择。
FQB32N20C 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关元件。
2. DC-DC 转换器，包括降压、升压及反激式拓扑结构。
3. 电机驱动电路，例如步进电机或小型直流电机控制。
4. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
5. LED 驱动器和固态照明方案。
6. 工业自动化设备中的信号切换和功率调节模块。
由于其高电压承受能力和低导通电阻，该器件特别适合需要兼顾效率和可靠性的应用环境。
FQP50N06L, IRFZ44N, STP36NF06
