ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
增强模式 P 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。
针脚数:3
漏源极电阻:0.055 Ω
耗散功率:3.75 W
阈值电压:4 V
输入电容:1100 pF
漏源极电压(Vds):60 V
上升时间:185 ns
输入电容(Ciss):1100pF @25V(Vds)
额定功率(Max):3.75 W
下降时间:90 ns
工作温度(Max):175 ℃
工作温度(Min):-55 ℃
耗散功率(Max):3750 mW
安装方式:Surface Mount
引脚数:3
封装:TO-263-3
长度:10.67 mm
宽度:9.65 mm
高度:4.83 mm