时间：2022/10/9 13:55:28
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQB27P06TM, 27 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor
增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
针脚数：3
漏源极电阻：0.055 Ω
耗散功率：3.75 W
阈值电压：4 V
输入电容：1100 pF
漏源极电压(Vds)：60 V
上升时间：185 ns
输入电容(Ciss)：1100pF @25V(Vds)
额定功率(Max)：3.75 W
下降时间：90 ns
工作温度(Max)：175 ℃
工作温度(Min)：-55 ℃
耗散功率(Max)：3750 mW
安装方式：Surface Mount
引脚数：3
封装：TO-263-3
长度：10.67 mm
宽度：9.65 mm
高度：4.83 mm
