时间：2025/6/21 15:12:28
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FQB24N08是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的制造工艺设计。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，适用于需要高效能和低损耗的应用场景。
该型号的MOSFET适合在高频开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等电路中使用。
最大漏源电压(Vds)：80V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5.3A
脉冲漏极电流(Ip)：16A
导通电阻(Rds(on))：24mΩ
栅极电荷(Qg)：3nC
输入电容(Ciss)：490pF
输出电容(Coss)：120pF
反向传输电容(Crss)：20pF
工作结温范围(Tj)：-55℃ to 150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低传导损耗。
2. 高开关速度设计，减少开关损耗，提高系统效率。
3. 小巧封装（通常为SOT-23或TO-252），节省PCB空间，便于紧凑型设计。
4. 强大的浪涌电流能力，适合严苛的工作环境。
5. 静电防护能力达到人体模型(HBM) ±2kV以上，确保更高的可靠性。
6. 热稳定性良好，可适应宽泛的工作温度范围。
FQB24N08主要应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。具体包括：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和初级侧开关。
2. DC-DC转换器中的高端和低端开关。
3. 负载开关用于便携式设备的电源管理。
4. 电机驱动电路，支持小型直流电机的控制。
5. 电池保护电路，防止过流和短路损坏。
6. 各种需要高效功率转换的场合，如LED驱动和音频放大器。
FQD27N08,
FQP27P06,
IRF740,
AO3400
